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罗姆宣布推出内置SiC肖特基势垒二极管的混合型IGBT

7月19日,据盖世汽车报道,半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出集成650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT(混合型IGBT),即RGWxx65C系列(包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),并符合汽车可靠性标准AEC-Q101。新产品适用于处理大功率的汽车和工业应用,例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化汽车(xEV)中使用的DC/DC转换器。



报道中还称,RGWxx65C系列在IGBT的反馈单元(续流二极管)中采用了罗姆的低损耗SiC肖特基势垒二极管,几乎没有恢复能量,因此可将二极管开关损耗降至最小。此外,由于在开启模式下恢复电流不必由IGBT处理,因此显著降低了IGBT的开启损耗。当将该产品用于车载充电器时,在这两种效应的共同作用下,其损耗与传统IGBT相比降低67%,与超级结MOSFET(SJ MOSFET)相比降低24%,从而进一步提高性价比,并降低工业和汽车应用中的功耗。



据了解,前段时间罗姆(ROHM)举办了在线发布会,细致介绍了放大器和比较器的作用以及罗姆在这上面的布局。此外,罗姆还推出一款抗EMI性能非常出色的运算放大器“BD8758xYx-C”系列,新产品具备“EMARMOURTM系列”中超高的抗干扰性能,有助于减少异常检测系统的设计工时并提高系统可靠性。



罗姆上海技术中心的FAE朱莎勤提到,影响运算放大器精度的参数包括输入偏置电流,输入失调电压,以及等效输入噪声电压,这些都是运算放大器自身的参数。通过优化这些参数,使传感器系统的精度得以提高。



该产品已经于2021年5月份量产,同时该系列中还有4通道产品尚在开发中。罗姆称,未来将会继续扩大新产品阵容,并且还会将高抗干扰技术应用到电源IC等产品中,为进一步减少各种应用的设计工时和提高应用的可靠性贡献力量。


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